金川铜贵高品质8.5μmHTE超薄电子铜箔量产升级

　　近日，金川铜贵铜箔分厂成功实现厚度仅8.5μm高品质HTE电子铜箔稳定量产。这一突破性技术成果，不仅成功填补了金川电子铜箔在10μm以下超薄电子铜箔领域的市场与技术空白，更标志着金川铜箔在HTE铜箔领域的工艺水平已稳步跻身国内先进行列，为金川铜箔进一步拓展高端电子电路用铜箔市场、提升核心竞争力筑牢坚实根基。

　　HTE电子铜箔作为高频通信、IC封装载板等高端电子产品的核心基础材料，需同时具备高剥离强度、优异的耐热性能以及精准控制的表面粗糙度。为突破技术瓶颈，金川铜贵组建专项研发团队，从基础原理与工艺细节切入，聚焦核心沉积工艺，展开系统性攻关，持续改良“阶梯式电流沉积”技术，显著提升铜箔微观结构均匀性。同时，精准调控硅烷偶联剂工艺，强化表面处理层与铜层的结合力，最终将铜箔表面粗糙度稳定控制在4.5μm以内，剥离强度提升至1.2N/mm以上，各项性能指标均远超IPC－TM－650行业标准。

　　解决核心性能达标问题后，团队进一步攻克量产痛点——超薄铜箔易撕裂、断箔的难题，实现对胶辊压力的高精度管控，有效缓解机械应力集中；优化铜箔添加剂配方，将材料抗拉强度提升至340MPa以上，大幅降低断箔发生率。此外，依托金川自主研发的新型抗氧化镀层工艺，将产品耐热温度提升至230℃，显著拓展其在高热应用场景下的适配范围。经多家下游客户严格测试验证，该批8.5μmHTE铜箔的各项性能指标均完全契合高端PCB制造标准及使用要求。

　　8.5μmHTE铜箔的成功量产，既是践行“创新驱动、高端突破”发展战略的生动实践，更是其在高端电子铜箔领域深耕细作、攻坚破难的重要里程碑。下一步，金川铜贵将持续聚焦高性能电子铜箔的研发与产业化布局，加快推进 RTF、HVLP等高端铜箔产品的技术攻关进程，力争在高端电子材料领域实现更高层次、更广范围的突破。(金川集团新闻中心全媒体记者 郭开金)